光刻机和蚀刻机一直都是当前最热的话题 ，可以说光刻机是芯片制造的魂 ，蚀刻机是芯片制造的魄 ，要想制造高端的芯片 ，这两个东西都必须顶尖 。那它们俩有什么区别呢 ？最简单的解释就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉 ，这样看起来似乎没什么难的 ，但是有一个形象的比喻 ，每一块芯片上面的电路结构放大无数倍来看比整个北京都复杂 ，这就是这光刻和蚀刻的难度 。

       光刻的过程就是先在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶（一种可以被光腐蚀的胶状物质） ，接下来通过光线（工艺难度紫外光＜深紫外光＜极紫外光）透过掩膜照射到硅圆表面（类似投影） ，因为光刻胶的覆盖 ，照射到的部分被腐蚀掉 ，没有光照的部分被留下来 ，这部分便是需要的电路结构 。

       蚀刻分为两种 ，一种是干刻 ，一种是湿刻（目前主流） ，顾名思义 ，湿刻就是过程中有水加入 ，将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应 ，去掉不需要的部分，剩下的便是电路结构了 ，干刻目前还没有实现商业量产 ，其原理是通过等离子体代替化学溶液 ，去除不需要的硅圆部分 。

       目前我国光刻机和蚀刻机的发展很尴尬 ，属于严重偏科的情况 ，中微半导体7nm蚀刻机的量产 ，直接迈入世界一流行列 ，5nm蚀刻机也在实验阶段 ，而光刻机与世界最先进的7nm制程都相去甚远 ，在这两条道路上 ，蚀刻机要再接再厉 ，而光刻机则需要迎头赶上 。

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