LED芯片研制不断向高效高亮度方向发展 。传统的芯片切割方式如金刚刀划片 ，砂轮刀锯切因其效率低 ，成品率不高已逐渐落伍 ，不能满足现代化生产的需要 ，目前激光切割方式正逐渐取代传统切割 ，成为目前主流切割方式 。

       激光切割又分为表层切割和内部切割 ，即隐形切割 。它采用一定波长的激光聚焦在晶片表面或内部 ，在极短时间内释放大量的热量 ，使材料熔化甚至气化 ，配合激光头的移动或物件的移动，形成切割痕迹 ，实现切割的目的 。表层切割后，激光产生的高能量瞬间破坏了蓝宝石的晶格结构 ，侧面激光灼烧痕迹阻挡了 LED芯片的出光，对芯片外量子效率影响较大 。

       蓝宝石衬底LED芯片激光切对LED芯片晶圆沿裂痕方向施以外力 ，使芯片分隔成独立的发光单元 。本发明对于蓝宝石衬底较厚晶圆的切割 ，能有效提升其切割成品率 ，并减少了蓝宝石斜裂现象 。

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